Teitel' E.I., Uimin M.A., Yermakov A.Ye., Shangurov A.V., Barinov V.A., Makarova G.M., Kuznetsov R.I., Pilyugin V.P., Gundyrev V.M.
Деформация сдвигом под давлением сплава MnAl-C со структурой ε-фазы (ГПУ) при 20° С приводит к формированию структур с плавно меняющейся ориентацией, а затем к появлению дискретно разориентированных кристаллитов (зерен) размером 10-30 нм; τ-фаза (L10) претерпевает фазовый переход τ→ε. В случае деформации при -196° также протекает превращение τ→ε, а при больших деформациях сплав переходит в аморфное состояние.
Tiunov V.F.
Исследовано изменение вида равновесной доменной структуры и особенностей ее динамического поведения при утончении монокристаллов Fe-3% Si с различной кристаллографической ориентацией их поверхности. Выявленные особенности используются для анализа зависимости вихретоковых потерь от толщины образцов. На основе поведения составляющих магнитных потерь при утончении образцов объяснена связь между степенью разориентации их поверхности и значением толщины, соответствующей минимуму полных потерь.
Kuchin A.G., Ermolenko A.S.
Изучены магнитные свойства сплавов TbxSm1-xNi5 с сильной одноионной конкурирующей анизотропией и слабыми обменными взаимодействиями. Установлено, что магнитное упорядочение разноименных редкоземельных компонент происходит взаимно-независимо, что обусловлено почти взаимной ортогональностью их намагниченностей. Экспериментально подтверждены теоретические представления относительно вида магнитной фазовой диаграммы "концентрация - температура" для сплавов с конкурирующей анизотропией невзаимодействующих ферромагнитных компонент. Оценены значения межподрешеточных молекулярных полей.
ОГОРОДНИКОВА О.М., ЛИТВИНОВ В.С., САХАНСКАЯ И.Н.
ДЬЯЧУК П.П., ИВАНОВ А.А., ЧЕРНЫХ А.Г.
Рассматривается закрепление доменной стенки (ДС) на флуктуациях плотности и ориентаций (эффективных локальных осей анизотропии (ЛОА)) дефектов, характерные размеры которых много меньше ширины ДС. Получено выражение для удельной дисперсии потенциального силового рельефа ДС, с учетом обменной и анизотропной частей энергии взаимодействия дефекта с ДС. На примере некоторых механизмов закрепления (разориентация ЛОА кристаллитов, микропоры, межкристаллитные границы, включения с однонаправленной анизотропией) проведен анализ закрепления ДС.